(ប​រទេស)៖ ព្រះរាជអាជ្ញាកូរ៉េខាងត្បូងបានសម្រេចចោទប្រកាន់បុគ្គលចំនួន ១០ នាក់ ក្នុងករណីសង្ស័យថាបានលួចចម្លងបច្ចេកវិទ្យាផលិតបន្ទះឈីបអង្គចងចាំ (Memory Chip) ទៅឱ្យក្រុមហ៊ុនចិន ChangXin Memory Technologies (CXMT)។ អាជ្ញាធរបានបញ្ជាក់ថា ការលេចធ្លាយនេះគឺជាការបើកផ្លូវឱ្យប្រទេសចិនអាចអភិវឌ្ឍបច្ចេកវិទ្យា HBM (High-Bandwidth Memory) ដែលជាសមាសភាគដ៏សំខាន់បំផុតសម្រាប់ដំណើរការប្រព័ន្ធបញ្ញាសិប្បនិម្មិត (AI)។ នេះបើយោងតាមការចេញផ្សាយដោយទីភ្នាក់ងារសារព័ត៌មាន Reuters នៅថ្ងៃទី២៦ ខែធ្នូ ឆ្នាំ២០២៥។

យោងតាមការបញ្ជាក់ពីការិយាល័យព្រះរាជអាជ្ញាក្រុងសេអ៊ូល មនុស្ស ៥ នាក់ រួមមានទាំងអតីតនាយកប្រតិបត្តិ និងវិស្វកររបស់ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics ត្រូវបានឃុំខ្លួនពីបទរំលោភច្បាប់ការពារបច្ចេកវិទ្យាឧស្សាហកម្ម ខណៈ ៥ នាក់ទៀតត្រូវបានអនុញ្ញាតឱ្យនៅក្រៅឃុំ។ តាមការស៊ើបអង្កេត ជនសង្ស័យដែលជាអតីតអ្នកស្រាវជ្រាវរបស់ Samsung បានលួចចម្លងរូបមន្តផលិតបន្ទះឈីប DRAM រាប់រយជំហានដោយការ «កត់ត្រាដោយដៃ» មុនពេលចាកចេញទៅធ្វើការឱ្យក្រុមហ៊ុន CXMT របស់ចិន។ កំណត់ត្រាទាំងនោះរួមមានតាំងពីលក្ខណៈបច្ចេកទេសឧបករណ៍ រហូតដល់វិធីសាស្ត្របង្កើនទិន្នផលផលិតកម្ម។

លើសពីនេះ ការស៊ើបអង្កេតបានរកឃើញថា ក្រុមហ៊ុន CXMT ក៏បានទទួលបានបច្ចេកវិទ្យា DRAM បន្ថែមពីក្រុមហ៊ុន SK Hynix តាមរយៈក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់មួយផ្សេងទៀត ដែលធ្វើឱ្យការអភិវឌ្ឍរបស់ពួកគេកាន់តែលឿនលើសការរំពឹងទុក។ បច្ចេកវិទ្យាដែលលេចធ្លាយនេះ គឺជាបច្ចេកវិទ្យាកម្រិត ១០ ណាណូម៉ែត្រ (10-nanometre) ដែល Samsung បានចំណាយទុនវិនិយោគប្រមាណ ១,៦ ទ្រីលានវ៉ុន (ប្រហែល ១,២ ពាន់លានដុល្លារ) ដើម្បីស្រាវជ្រាវ។

ព្រះរាជអាជ្ញាបានបន្ថែមថា ការប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យាដោយខុសច្បាប់នេះ បានធ្វើឱ្យក្រុមហ៊ុនចិនសម្រេចបាននូវការផលិតបន្ទះឈីបកម្រិតខ្ពស់ក្នុងឆ្នាំ ២០២៣ ដែលជាសមិទ្ធផលដំបូងបង្អស់សម្រាប់ក្រុមហ៊ុនចិន ប៉ុន្តែវាបានបង្កឱ្យមានការខាតបង់ដល់ក្រុមហ៊ុនកូរ៉េខាងត្បូងដូចជា Samsung ជាដើម ក្នុងទំហំទឹកប្រាក់យ៉ាងហោចណាស់ រាប់សិបទ្រីលានវ៉ុន។ បច្ចុប្បន្ន ក្រុមហ៊ុន CXMT ដែលកំពុងត្រៀមចុះបញ្ជីក្នុងផ្សារភាគហ៊ុនក្នុងតម្លៃខ្លួន ៤២ ពាន់លានដុល្លារ កំពុងក្លាយជាគូប្រជែងដ៏ស្រួចស្រាវរបស់ក្រុមហ៊ុនកូរ៉េខាងត្បូងតាមរយៈបច្ចេកវិទ្យាថ្មីៗដែលខ្លួនសម្រេចបាន៕