SK Hynix ប្រកាសវិនិយោគ ៣៨.១ ប៊ីលានដុល្លារ សង់រោងចក្រផលិត DRAM និង NAND ថ្មីចំនួនពីរនៅកូរ៉េខាងត្បូង

08-08-2026 11:28

(សេអ៊ូល)៖ ក្រុមហ៊ុនផលិតបន្ទះឈីបចងចាំ (Memory Chip) ធំជាងគេទីពីរលើពិភពលោក SK Hynix បានប្រកាសជាផ្លូវការនូវកញ្ចប់វិនិយោគដ៏ធំសម្បើមទំហំ ៥៤ ទ្រីលានវ៉ុនកូរ៉េ (ប្រមាណ ៣៨.១ ប៊ីលានដុល្លារអាមេរិក) ដើម្បីកសាងរោងចក្រផលិតបន្ទះឈីប (Fabs) ថ្មីចំនួនពីរនៅក្នុងប្រទេសកូរ៉េខាងត្បូង ក្នុងគោលដៅឆ្លើយតបទៅនឹងតម្រូវការទីផ្សារ AI និង Data Center ដែលកំពុងហក់ឡើងយ៉ាងគំហុក។ នេះបើយោងតាមការចុះផ្សាយរបស់គេហទំព័របច្ចេកវិទ្យា GSMArena និងប្រភពព័ត៌មានហិរញ្ញវត្ថុអន្តរជាតិនៅថ្ងៃសៅរ៍ ទី០៨ ខែសីហា ឆ្នាំ២០២៦។

តាមការបញ្ជាក់ផ្លូវការពីប្រភពក្រុមហ៊ុន SK Hynix កញ្ចប់ថវិកានេះត្រូវបែងចែកជាពីរផ្នែកធំៗ៖

- ៣៥.២ ទ្រីលានវ៉ុន (ប្រមាណ ២៥ ប៊ីលានដុល្លារ)៖ សម្រាប់សាងសង់រោងចក្រ Yongin Y2 ស្ថិតក្នុងតំបន់ Yongin Semiconductor Cluster ដើម្បីផលិតបន្ទះឈីប DRAM កម្រិតខ្ពស់ និងបន្ទះឈីបល្បឿនលឿន High Bandwidth Memory (HBM)។ ការដ្ឋាននឹងចាប់ផ្តើមនៅខែកក្កដា ឆ្នាំ២០២៧ ហើយបន្ទប់ស្អាត (Cleanroom) ដំបូងនឹងបើកដំណើរការនៅខែមិថុនា ឆ្នាំ២០២៩។

- ១៩.១ ទ្រីលានវ៉ុន (ប្រមាណ ១៣.៥ ប៊ីលានដុល្លារ)៖ សម្រាប់សាងសង់រោងចក្រ Cheongju M17 ដើម្បីផលិតបន្ទះអង្គចងចាំប្រភេទ NAND Flash។ ការដ្ឋាននឹងចាប់ផ្តើមនៅខែកុម្ភៈ ឆ្នាំ២០២៧ ហើយ Cleanroom ដំបូងនឹងរួចរាល់នៅខែធ្នូ ឆ្នាំ២០២៨។

តំណាងក្រុមហ៊ុន SK Hynix បានគូសបញ្ជាក់ថា «ការវិនិយោគនេះគឺជាការសម្រេចចិត្តដើម្បីចាប់យកឱកាសស្របតាមល្បឿនកំណើននៃទីផ្សារ។ តាមរយៈការត្រៀមសមត្ថភាពផលិតជាមុន យើងមានគោលដៅពង្រឹងខ្លួនជាដៃគូស្នូលនៃហេដ្ឋារចនាសម្ព័ន្ធ AI និងរួមចំណែកដល់ស្ថិរភាពនៃសង្វាក់ផ្គត់ផ្គង់សេមីកុងឌុចទ័រ AI សកល»៕