(បរទេស)៖ ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics នឹងប្រើបច្ចេកវិទ្យាផលិតបន្ទះឈីបកម្រិត ៣ ណាណូម៉ែត្រ របស់ក្រុមហ៊ុន TSMC ដើម្បីផលិតបន្ទះឈីបមូលដ្ឋានសម្រាប់អង្គចងចាំកម្រិតបញ្ជូនខ្ពស់ (HBM) ជំនាន់ក្រោយរបស់ Nvidia។ នេះបើយោងតាមសារព័ត៌មាន Seoul Economic Daily របស់កូរ៉េខាងត្បូង ដែលត្រូវបានទីភ្នាក់ងារសារព័ត៌មាន Reuters រាយការណ៍បន្តនៅថ្ងៃទី១៩ ខែតុលា ឆ្នាំ២០២៦។

តាមរបាយការណ៍ Nvidia បានស្នើឱ្យក្រុមហ៊ុន Samsung, SK Hynix និង Micron Technology ប្រើបច្ចេកវិទ្យាផលិតរបស់ TSMC សម្រាប់បន្ទះឈីបមូលដ្ឋាន NVHBM និងប្រើបច្ចេកវិទ្យា DRAM ជំនាន់ទី៦ សម្រាប់បន្ទះឈីបស្នូល។ ប្រសិនបើកិច្ចសហការនេះកើតឡើង វានឹងជាលើកដំបូងដែល Samsung សហការជាមួយ TSMC នៅដំណាក់កាលផលិតបន្ទះឈីប HBM។

Nvidia បានបង្ហាញបច្ចេកវិទ្យា NVHBM កាលពីខែសីហា ដោយបញ្ចូលឧបករណ៍បញ្ជាអង្គចងចាំ (memory) ដែលរចនាដោយខ្លួនឯងទៅក្នុងបន្ទះឈីបមូលដ្ឋាន។ បច្ចេកវិទ្យានេះមានគោលបំណងបង្កើតស្តង់ដាររួម ដើម្បីសម្រួលដល់ការប្រើប្រាស់អង្គចងចាំ (memory) ពីអ្នកផ្គត់ផ្គង់ផ្សេងៗ។

គួរជម្រាបថា សារព័ត៌មាន Seoul Economic Daily បានរាយការណ៍ថា Samsung បានយល់ព្រមតាមលក្ខខណ្ឌរបស់ Nvidia បន្ទាប់ពីពិនិត្យផ្ទៃក្នុងរួច ប៉ុន្តែនឹងបន្តផលិតបន្ទះឈីប HBM ស្តង់ដារ និងផលិតផលសម្រាប់អតិថិជនផ្សេងទៀតតាមប្រព័ន្ធរបស់ខ្លួន។ ប្រភពមិនបញ្ចេញឈ្មោះមួយរូបបានឱ្យដឹងថា Samsung ក៏កំពុងពិចារណាផលិតបន្ទះឈីបមូលដ្ឋាន NVHBM នៅរោងចក្ររបស់ខ្លួនផងដែរ ប្រសិនបើតម្រូវការកើនឡើងលើសសមត្ថភាពផលិតរបស់ TSMC៕